г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SBR2U30P1-7 Diodes Incorporated

Артикул
SBR2U30P1-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
DIODE SBR 30V 2A POWERDI123, Diode Super Barrier 30 V 2A Surface Mount PowerDI™ 123
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/SBR2U30P1-7.jpg
POWERDI®123
PowerDI™ 123
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Super Barrier
30 V
2A
400 mV @ 2 A
400 µA @ 30 V
-
SBR2U30P1DITR,SBR2U30P1DICT,SBR2U30P1DIDKR,SBR2U30P17
3,000
8541.10.0080
SBR®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
SBR2U30
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Affected
EAR99
-65°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPW65R041CFDFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3, N-Channel 650 V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: MS2421
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103, RF Transistor NPN 65V 22A 1.025GHz ~ 1.15GHz 875W Chassis Mount M103
Подробнее
Артикул: IRFU15N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: OPT4A-AE
Бренд: Advantech
Описание:

30CM MALE DB-37 TO 4X MALE DB9 C,

Подробнее
Артикул: STD18N55M5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK, N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: BZX85C5V1-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO41, Zener Diode 5.1 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее