г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SCT30N120 STMicroelectronics

Артикул
SCT30N120
Бренд
STMicroelectronics
Описание
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247, N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Цена
4 022 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SCT30N120.jpg
SCT30
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200 V
40A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A, 20V
2.6V @ 1mA (Typ)
105 nC @ 20 V
+25V, -10V
1700 pF @ 400 V
-
497-14960
REACH Unaffected
-
Tube
Active
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
HiP247™
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
270W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4BC40W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1146-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: MPSW05
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 0.5A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 500 mA 50MHz 1 W Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: MJE4343
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 160V 16A TO218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: UF4005
Бренд: DComponents
Описание: UF Rect, 600V, 1.00A, 75ns, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41/DO-204AC
Подробнее
Артикул: KSD2012GTU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: KSD2012 - NPN EPITAXIAL SILICON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3
Подробнее