SCTW40N120G2V STMicroelectronics
Артикул
SCTW40N120G2V
Бренд
STMicroelectronics
Описание
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
Цена
3 545 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
SiCFET (Silicon Carbide)
N-Channel
1200 V
36A (Tc)
18V
100mOhm @ 20A, 18V
4.9V @ 1mA
61 nC @ 18 V
+22V, -10V
1233 pF @ 800 V
-
HiP247™
REACH Unaffected
Tube
Active
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
497-SCTW40N120G2V
30
278W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут