г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SCTW70N120G2V STMicroelectronics

Артикул
SCTW70N120G2V
Бренд
STMicroelectronics
Описание
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247, N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W (Tc) Through Hole HiP247™
Цена
7 573 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SCTW70N120G2V.jpg
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
91A (Tc)
30mOhm @ 50A, 18V
4.9V @ 1mA
+22V, -10V
-
547W (Tc)
1200 V
150 nC @ 18 V
3540 pF @ 800 V
REACH Unaffected
HiP247™
TO-247-3
-
Tube
Active
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
SCTW70
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
497-SCTW70N120G2V
30
18V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FR207G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 2A DO204AC, Diode Standard 2A Through Hole DO-204AC (DO-15)
Подробнее
Артикул: 939-5MM
Бренд: Bivar
Описание: ROUND SPACER NYLON 5MM, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.197" (5.00mm) Natural
Подробнее
Артикул: TIP120G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 60V 5A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MUR460RL
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD, Diode Standard 600 V 4A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: RN1427TE85LF
Бренд: Toshiba Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Подробнее
Артикул: 1N4757A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 51V 1W DO41, Zener Diode 51 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее