г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGW20N60 Infineon Technologies

Артикул
SGW20N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/SGW20N60.jpg
1
INFINFSGW20N60,2156-SGW20N60
EAR99
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
Active
Bulk
*
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4002G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41, Diode Standard 100 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IXGR48N60C3D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247, IGBT PT 600 V 56 A 125 W Through Hole ISOPLUS247™
Подробнее
Артикул: 2N6491
Бренд: Harris
Описание: BIPOLAR PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 0433-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STAINLESS STE, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: 1256-25-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: MRF151
Бренд: MACOM
Описание: FET RF N-CH 150W 50V 175MHZ, RF Mosfet N-Channel 50 V 250 mA 175MHz 13dB ~ 22dB 150W -
Подробнее