SGW30N60 Infineon Technologies

Артикул

SGW30N60

Бренд

Infineon Technologies

Описание

IGBT, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT

Цена

525 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные

files/SGW30N60.jpg

2156-SGW30N60,INFINFSGW30N60

EAR99

1 (Unlimited)

ROHS3 Compliant

Active

Bulk

REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPA80R1K2P7XKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220, N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP

Подробнее

Артикул: HS1D R3G

Бренд: Taiwan Semiconductor

Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)

Подробнее

Артикул: APT44F80L

Бренд: Microchip Technology

Описание: MOSFET N-CH 800V 47A TO264, N-Channel 800 V 47A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264

Подробнее

Артикул: ATP302-TL-H

Бренд: onsemi

Описание: MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK, P-Channel 60 V 70A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK

Подробнее

Артикул: IPA60R180P7SXKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220, N-Channel 600 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Подробнее

Артикул: 2SD1047

Бренд: STMicroelectronics

Описание: TRANS NPN 140V 12A TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 12 A 20MHz 100 W Through Hole TO-3P

Подробнее

SGW30N60 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята