г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGW50N60HS Infineon Technologies

Артикул
SGW50N60HS
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 100 A 416 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
586 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
-
416 W
Standard
100 A
600 V
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
NPT
3.15V @ 15V, 50A
150 A
1.96mJ
179 nC
PG-TO247-3-1
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
2156-SGW50N60HS,IFEINFSGW50N60HS
1
47ns/310ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI4488DY-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, N-Channel 150 V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: SPB-36-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-1/4" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: IRF640NSTRLPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: PM15CSJ060
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 6PAC 600V 15A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A Power Module
Подробнее
Артикул: CM300DX-24S
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 300A 2270W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 300 A 2270 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: RHRP3060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC, Diode Standard 600 V 30A Through Hole TO-220-2L
Подробнее