г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI4812BDY-T1-E3 VISHAY

Артикул
SI4812BDY-T1-E3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO, N-Channel 30 V 7.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SI4812BDY-T1-E3.jpg
2,500
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
7.3A (Ta)
4.5V, 10V
16mOhm @ 9.5A, 10V
3V @ 250µA
13 nC @ 5 V
±20V
-
SI4812BDY-T1-E3DKR,SI4812BDY-T1-E3TR,SI4812BDYT1E3,SI4812BDY-T1-E3CT
8541.29.0095
LITTLE FOOT®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
SI4812
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
1.4W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDS6680AS
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 2N3740
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MRF8VP13350NR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13, RF Mosfet LDMOS 50 V 100 mA 700MHz ~ 1.3GHz 19.2dB 350W OM-780G-4L
Подробнее
Артикул: IRG4BC30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC857BW,135
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323,
Подробнее
Артикул: 1502-10-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее