SI4833BDY-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI4833BDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC, P-Channel 30 V 4.6A (Tc) 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SI4833BDY-T1-GE3.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
4.6A (Tc)
4.5V, 10V
68mOhm @ 3.6A, 10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 15 V
Schottky Diode (Isolated)
2,500
SI4833BDY-T1-GE3-ND,SI4833BDY-T1-GE3TR,SI4833BDY-T1-GE3DKR,SI4833BDY-T1-GE3CT
8541.29.0095
LITTLE FOOT®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
SI4833
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
2.75W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут