SI7190DP-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SI7190DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8, N-Channel 250 V 18.4A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
369 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SI7190DP-T1-GE3.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
250 V
18.4A (Tc)
6V, 10V
118mOhm @ 4.4A, 10V
4V @ 250µA
±20V
2214 pF @ 125 V
-
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Surface Mount
3,000
SI7190DP-T1-GE3TR,SI7190DP-T1-GE3DKR,SI7190DPT1GE3,SI7190DP-T1-GE3CT
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SI7190
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
72 nC @ 10 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут