г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI7469DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI7469DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8, P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
481 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SI7469DP-T1-GE3.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
80 V
28A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm @ 10.2A, 10V
3V @ 250µA
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Surface Mount
3,000
SI7469DP-T1-GE3TR,SI7469DPT1GE3,SI7469DP-T1-GE3DKR,SI7469DP-T1-GE3CT
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SI7469
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
160 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N5337
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BFP450H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4, RF Transistor NPN 5V 100mA 24GHz 450mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее
Артикул: STGWT60V60DF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 80A 375W TO3P, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 375 W Through Hole
Подробнее
Артикул: 2SD2014
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 80V 4A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 75MHz 25 W Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: IRF610PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB, N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 2SC5103TLP
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN 60V 5A SOT-428, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 120MHz 1 W Surface Mount CPT3
Подробнее