г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SI7629DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SI7629DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
200 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SI7629DN-T1-GE3.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
20 V
35A (Tc)
2.5V, 10V
4.6mOhm @ 20A, 10V
1.5V @ 250µA
±12V
5790 pF @ 10 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Surface Mount
3,000
SI7629DN-T1-GE3TR,SI7629DN-T1-GE3CT,SI7629DN-T1-GE3DKR,SI7629DNT1GE3
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SI7629
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
177 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1358-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: IXFH50N60X
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 600V 50A TO247, N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: UF5406-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD, Diode Standard 600 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: BSR17A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: SIHG24N65E-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC, N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее