г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIA519EDJ-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIA519EDJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6, Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/SIA519EDJ-T1-GE3.jpg
SIA519EDJT1GE3,SIA519EDJ-T1-GE3DKR,SIA519EDJ-T1-GE3CT,SIA519EDJ-T1-GE3TR
3,000
N and P-Channel
20V
4.5A
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
1.4V @ 250µA
12nC @ 10V
350pF @ 10V
Logic Level Gate
8541.29.0095
EAR99
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SC-70-6 Dual
PowerPAK® SC-70-6 Dual
SIA519
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
7.8W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HDRA-E100LPWB
Бренд: WEC
Описание: CONECTOR 13,
Подробнее
Артикул: NTR4171PT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3, P-Channel 30 V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IXYN100N120C3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B, IGBT Module - Single 1200 V 152 A 830 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: STB18NM60ND
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK, N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: ECAT-2051-32
Бренд: ICP DAS
Описание: ETHERCAT SLAVE I/O MODULE: 32 CH, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 10 ~ 32VDC
Подробнее
Артикул: FQPF85N06
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F, N-Channel 60 V 53A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее