SIDR392DP-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SIDR392DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK, N-Channel 30 V 82A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Цена
491 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIDR392DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
82A (Ta), 100A (Tc)
4.5V, 10V
0.62mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V, -16V
9530 pF @ 15 V
-
3,000
SIDR392DP-T1-GE3CT,SIDR392DP-T1-GE3TR,SIDR392DP-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8DC
SIDR392
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут