SIDR626DP-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SIDR626DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK, N-Channel 60 V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Цена
513 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIDR626DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
42.8A (Ta), 100A (Tc)
6V, 10V
1.7mOhm @ 20A, 10V
3.4V @ 250µA
102 nC @ 10 V
±20V
5130 pF @ 30 V
-
3,000
SIDR626DP-T1-GE3TR,SIDR626DP-T1-GE3DKR,SIDR626DP-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8DC
SIDR626
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут