SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SIDR680DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK, N-Channel 80 V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Цена
520 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIDR680DP-T1-GE3.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
80 V
32.8A (Ta), 100A (Tc)
7.5V, 10V
2.9mOhm @ 20A, 10V
3.4V @ 250µA
±20V
5150 pF @ 40 V
-
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Surface Mount
3,000
SIDR680DP-T1-GE3CT,SIDR680DP-T1-GE3TR,SIDR680DP-T1-GE3DKR
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8DC
SIDR680
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
105 nC @ 10 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут