г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHD180N60E-GE3 VISHAY

Артикул
SIHD180N60E-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA, N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
518 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIHD180N60E-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
19A (Tc)
10V
195mOhm @ 9.5A, 10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 100 V
-
3,000
8541.29.0095
E
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
D-Pak
SIHD180
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GBPC2504W
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: IRGB14C40LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A TO220AB, IGBT - 430 V 20 A 125 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1164-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: STGWA30M65DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 650V 30A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 258 W Through Hole TO-247 Long Leads
Подробнее
Артикул: IPN80R900P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223, N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: 2384-T
Бренд: Fluke Electronics
Описание: SMART CONNECTOR TC (BLUE CAP),
Подробнее