г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHF22N65E-GE3 VISHAY

Артикул
SIHF22N65E-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 650V 22A TO220, N-Channel 650 V 22A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Цена
500 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIHF22N65E-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
650 V
22A (Tc)
10V
180mOhm @ 11A, 10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
2415 pF @ 100 V
-
1,000
SIHF22N65E-GE3CT,SIHF22N65E-GE3CT-ND
8541.29.0095
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
TO-220 Full Pack
SIHF22
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
35W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: 1329-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: BAT30F4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 300MA 0201, Diode Schottky 30 V 300mA Surface Mount 0201
Подробнее
Артикул: BD243B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 6 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1394-8-AL-7
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERCLEAR IRIDITE3/8 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.250" (6.35mm) 1/4" Clear
Подробнее
Артикул: SIS476DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8, N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее