г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHG21N65EF-GE3 VISHAY

Артикул
SIHG21N65EF-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC, N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
607 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIHG21N65EF-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
650 V
21A (Tc)
10V
180mOhm @ 11A, 10V
4V @ 250µA
106 nC @ 10 V
±30V
2322 pF @ 100 V
-
500
8541.29.0095
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247AC
SIHG21
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
208W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFH6200TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN, N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: 30CPQ045
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 15A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BD680G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: IRFP22N50A
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3, N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: GBJ25J
Бренд: SURGE
Описание: 25A -600V - GBJ - BRIDGE, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ(5S)
Подробнее
Артикул: 7300-B-256-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE STANDOFFPLAIN BRASS3, Round Standoff Threaded #2-56 Brass 0.594" (15.08mm) -
Подробнее