г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHG33N60E-GE3 VISHAY

Артикул
SIHG33N60E-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC, N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 206 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIHG33N60E-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
33A (Tc)
10V
99mOhm @ 16.5A, 10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
3508 pF @ 100 V
-
500
SIHG33N60E-GE3CT-ND,SIHG33N60E-GE3CT
8541.29.0095
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247AC
SIHG33
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
278W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ES1C-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 150V 1A SMA, Diode Standard 150 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: HS-4-6
Бренд: Essentra Components
Описание: HEX SPACER #4 CPVC 3/4", Hex Spacer Unthreaded #4 CPVC 0.750" (19.05mm) 3/4" Gray
Подробнее
Артикул: SD56120M
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 65V 860MHZ M252, RF Mosfet LDMOS 32 V 400 mA 860MHz 16dB 120W M252
Подробнее
Артикул: GBPC2504
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V QC Terminal GBPC
Подробнее
Артикул: 2004-1032-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND STANDOFFPLAIN ALUMINUM5/8, Round Standoff Threaded #10-32 Aluminum 8.000" (203.20mm) 8" -
Подробнее
Артикул: IGW75N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 140A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 140 A 428 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее