г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHG47N60EF-GE3 VISHAY

Артикул
SIHG47N60EF-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC, N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 795 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIHG47N60EF-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
47A (Tc)
10V
67mOhm @ 24A, 10V
4V @ 250µA
225 nC @ 10 V
±30V
4854 pF @ 100 V
-
500
8541.29.0095
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247AC
SIHG47
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
379W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1394-12-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM3/8 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: SB5100
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD, Diode Schottky 100 V 5A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 1341-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: BC558A
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT TO-92 30V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: IPD180N10N3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: 2SC4468
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN 140V 10A TO3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 10 A 20MHz 100 W Through Hole TO-3P
Подробнее