г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHG80N60EF-GE3 VISHAY

Артикул
SIHG80N60EF-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC, N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
2 820 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIHG80N60EF-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
80A (Tc)
10V
32mOhm @ 40A, 10V
4V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±30V
6600 pF @ 100 V
-
500
8541.29.0095
EF
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247AC
SIHG80
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
520W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDY2000PZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 350mA 446mW Surface Mount SOT-563F
Подробнее
Артикул: MPSA43
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 200V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: FDB2552
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB, N-Channel 150 V 5A (Ta), 37A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 1N4007
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO-41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: PN100_G
Бренд: onsemi
Описание: INTEGRATED CIRCUIT, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IRFR1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее