SIR410DP-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SIR410DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8, N-Channel 20 V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
195 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIR410DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
35A (Tc)
4.5V, 10V
4.8mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 10 V
-
3,000
SIR410DP-T1-GE3DKR,SIR410DP-T1-GE3CT,SIR410DPT1GE3,SIR410DP-T1-GE3TR,SIR410DP-T1-GE3-ND
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR410
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут