г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIR426DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIR426DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8, N-Channel 40 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIR426DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
40 V
30A (Tc)
4.5V, 10V
10.5mOhm @ 15A, 10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 20 V
-
3,000
Q5396740TG,SIR426DP-T1-GE3-ND,SIR426DP-T1-GE3TR,T1317218,SIR426DP-T1-GE3CT,SIR426DP-T1-GE3DKR,SIR426DPT1GE3
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR426
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDD5810
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK, N-Channel 60 V 7.4A (Ta), 37A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: KSE2955T
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 10A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 2MHz 600 mW Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1128-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: 2N6075AG
Бренд: Littelfuse
Описание: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO225AA, TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 4 A Through Hole TO-225AA
Подробнее
Артикул: PD57018S-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10, RF Mosfet LDMOS 28 V 100 mA 945MHz 16.5dB 18W PowerSO-10RF (Straight Lead)
Подробнее
Артикул: BZV55-C3V9,115
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 3.9V 500MW LLDS, Zener Diode 3.9 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее