г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIR670DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIR670DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
227 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIR670DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
4.8mOhm @ 20A, 10V
2.8V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
2815 pF @ 30 V
-
3,000
SIR670DP-T1-GE3DKR,SIR670DP-T1-GE3TR,SIR670DP-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR670
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
5W (Ta), 56.8W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5818
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41, Diode Schottky 30 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: BYW80-200
Бренд: onsemi
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IXFK90N20
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA, N-Channel 200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Подробнее
Артикул: VS-20ETF12PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC, Diode Standard 1200 V 20A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 1N5391
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO-15, Diode Standard 50 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: 1357-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.813" (46.04mm) -
Подробнее