г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIR866DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIR866DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8, N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIR866DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
1.9mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 250µA
107 nC @ 10 V
±20V
4730 pF @ 10 V
-
3,000
SIR866DP-T1-GE3DKR,SIR866DPT1GE3,SIR866DP-T1-GE3TR,SIR866DP-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR866
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
5.4W (Ta), 83W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4PH40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: STTH8R06FP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP, Diode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220FPAC
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 85A, 600V, N-CHANNEL, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BZX84-C20,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 20V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: 1233-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее
Артикул: GP1603
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 16A 200V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 16A (DC) Through Hole TO-220-3
Подробнее