г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIR870ADP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
377 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIR870ADP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
6.6mOhm @ 20A, 10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
3,000
SIR870ADP-T1-GE3TR,SIR870ADP-T1-GE3CT,SIR870ADP-T1-GE3DKR,SIR870ADPT1GE3
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR870
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
6.25W (Ta), 104W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1458-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/8 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: BD243C
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 6A, 10, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: DMP3013SFV-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333, P-Channel 30 V 12A (Ta), 35A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Подробнее
Артикул: BC337-40,412
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 45V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: APT50GP60B2DQ2G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 600V 150A 625W TMAX, IGBT PT 600 V 150 A 625 W Through Hole
Подробнее
Артикул: C2M0040120D
Бренд: Wolfspeed
Описание: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3, N-Channel 1200 V 60A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее