г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIRA06DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
222 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIRA06DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
40A (Tc)
4.5V, 10V
2.5mOhm @ 15A, 10V
2.2V @ 250µA
77 nC @ 10 V
+20V, -16V
3595 pF @ 15 V
-
3,000
SIRA06DPT1GE3,SIRA06DP-T1-GE3CT,SIRA06DP-T1-GE3TR,SIRA06DP-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIRA06
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
5W (Ta), 62.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: B-48CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .437,L= .53,W= .037,
Подробнее
Артикул: 1538-B-3-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN ALUMINUM, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: DDB6U30N08VRBOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 26A 83.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 600 V 26 A 83.5 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFU1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: ZMY3V9-GS18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 3.9V 1W DO213AB, Zener Diode 3.9 V 1 W ±5% Surface Mount DO-213AB
Подробнее
Артикул: BC32725
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 45V 0.8A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее