г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIRA12DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIRA12DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIRA12DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
25A (Tc)
4.5V, 10V
4.3mOhm @ 10A, 10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
+20V, -16V
2070 pF @ 15 V
-
3,000
SIRA12DP-T1-GE3DKR,SIRA12DP-T1-GE3TR,SIRA12DPT1GE3,SIRA12DP-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIRA12
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
4.5W (Ta), 31W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: RFD3055LE
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK, N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: US-4012
Бренд: Capital Advanced Technologies
Описание: PROTO BOARD 12PIN THRU-HOLE SIP,
Подробнее
Артикул: 1209-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: DMN4026SSDQ-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 1.3W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFU15N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRFB4228PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB, N-Channel 150 V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее