г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIRA14DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 58A (Tc) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIRA14DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
58A (Tc)
4.5V, 10V
5.1mOhm @ 10A, 10V
2.2V @ 250µA
29 nC @ 10 V
+20V, -16V
1450 pF @ 15 V
-
3,000
SIRA14DP-T1-GE3CT,SIRA14DP-T1-GE3TR,SIRA14DPT1GE3,SIRA14DP-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIRA14
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.6W (Ta), 31.2W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF7828TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: MRFE6VP5600HSR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: DMN65D8LFB-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN, N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Подробнее
Артикул: 1234-25-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: CL-33-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-1/16" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: IPW60R099CPFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее