г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIRA18DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIRA18DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIRA18DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
33A (Tc)
4.5V, 10V
7.5mOhm @ 10A, 10V
2.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V, -16V
1000 pF @ 15 V
-
3,000
SIRA18DPT1GE3,SIRA18DP-T1-GE3TR,2266-SIRA18DP-T1-GE3,SIRA18DP-T1-GE3DKR,SIRA18DP-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIRA18
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: KSC3503DSTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: NE4210S01-T1B
Бренд: Renesas
Описание: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Подробнее
Артикул: IXGH25N120A
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 50A 200W TO247AD, IGBT - 1200 V 50 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BFR92PE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 15V 45mA 5GHz 280mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IXTN62N50L
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B, N-Channel 500 V 62A (Tc) 800W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: AOT240L
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO220, N-Channel 40 V 20A (Ta), 105A (Tc) 1.9W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее