г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIRA52DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIRA52DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8, N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIRA52DP-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
40 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
1.7mOhm @ 15A, 10V
2.4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
+20V, -16V
7150 pF @ 20 V
-
3,000
SIRA52DP-T1-GE3CT,SIRA52DP-T1-GE3TR,SIRA52DP-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIRA52
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
48W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 161-ACS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .219,L= 1.00,W= .023,
Подробнее
Артикул: 2N7002E
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3, N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BSM50GX120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2, IGBT Module
Подробнее
Артикул: 1137-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: 2N6341
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 150V 25A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 25 A 40MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N4003G
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее