г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIS412DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIS412DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8, N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
107 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIS412DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
12A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm @ 7.8A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3,000
SIS412DN-T1-GE3CT,SIS412DN-T1-GE3DKR,SIS412DNT1GE3,SIS412DN-T1-GE3TR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS412
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 980-T-B
Бренд: American Hakko Products
Описание:

TIP,B,PRESTO,980/981,

Подробнее
Артикул: 1227-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/2 RD X 7/8 X .252 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: BD13916STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1.5 A - 1.25 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: 2N2896
Бренд: Microchip Technology
Описание: BJTS, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 1 A 120MHz 1.8 W Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Подробнее
Артикул: 1251-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: SB5200
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: SCHOTTKY DO-201 200V 5A, Diode Schottky 200 V 5A Through Hole DO-201
Подробнее