г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIS413DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIS413DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8, P-Channel 30 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
107 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIS413DN-T1-GE3.jpg
3,000
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
18A (Tc)
4.5V, 10V
9.4mOhm @ 15A, 10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
SIS413DN-T1-GE3CT,SIS413DN-T1-GE3DKR,SIS413DN-T1-GE3TR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS413
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
3.7W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NPTB00025B
Бренд: MACOM
Описание: HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ, RF Mosfet HEMT 28 V 225 mA 0Hz ~ 4GHz 13.5dB - -
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: HGTP7N60C3D
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDB045AN08A0
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK, N-Channel 75 V 19A (Ta), 90A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 1563-B-3-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 0142-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS7/16HD X, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее