г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIS415DNT-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
57 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIS415DNT-T1-GE3.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
35A (Tc)
2.5V, 10V
4mOhm @ 20A, 10V
1.5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±12V
5460 pF @ 10 V
-
3,000
SIS415DNT-T1-GE3DKR,SIS415DNT-T1-GE3TR,SIS415DNT-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS415
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.7W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFP140N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC, N-Channel 100 V 33A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IXFK20N120
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA, N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Подробнее
Артикул: V3158-01
Бренд: 3M
Описание: V3158-01 DRAIN ELBOW CLACK 3/4",
Подробнее
Артикул: BAS16-03WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 0.25A, 80V, Diode
Подробнее
Артикул: FR207-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE GPP GAST 2A DO-15, Diode Standard 1000 V 2A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: 1319-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее