г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIS862DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIS862DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8, N-Channel 60 V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
212 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SIS862DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
40A (Tc)
4.5V, 10V
8.5mOhm @ 20A, 10V
2.6V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 30 V
-
3,000
SIS862DN-T1-GE3CT,SIS862DN-T1-GE3TR,SIS862DN-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS862
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.7W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MPS5179
Бренд: onsemi
Описание: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3, RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 200mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: IXGH25N120A
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 50A 200W TO247AD, IGBT - 1200 V 50 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: STP4NB100
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB, N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BC26-6-6-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 3/8"X3/8" BELLOWS COUPLING,
Подробнее
Артикул: BZX85C4V7
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 4.7V 1W 5% UNIDIR, Zener Diode 4.7 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 555W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module
Подробнее