SISA10DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул

SISA10DN-T1-GE3

Бренд

VISHAY

Описание

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8, N-Channel 30 V 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Цена

188 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

files/SISA10DN-T1-GE3.jpg

N-Channel

MOSFET (Metal Oxide)

30 V

30A (Tc)

4.5V, 10V

3.7mOhm @ 10A, 10V

2.2V @ 250µA

51 nC @ 10 V

+20V, -16V

2425 pF @ 15 V

3,000

SISA10DNT1GE3,SISA10DN-T1-GE3TR,SISA10DN-T1-GE3CT,SISA10DN-T1-GE3DKR

8541.29.0095

TrenchFET®

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

Active

-55°C ~ 150°C (TJ)

Surface Mount

PowerPAK® 1212-8

SISA10

ROHS3 Compliant

1 (Unlimited)

EAR99

3.6W (Ta), 39W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: APT12080LVRG

Бренд: Microchip Technology

Описание: MOSFET N-CH 1200V 16A TO264, N-Channel 1200 V 16A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 (L)

Подробнее

Артикул: 7072-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: SHOULDER SCREWPLAIN BRASS1/2HD X, 5/16"-18 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Brass

Подробнее

Артикул: MPSA14

Бренд: NTE Electronics

Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

Подробнее

Артикул: FDS6690AS

Бренд: Fairchild Semiconductor

Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Подробнее

Артикул: 1375-8-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.000" (25.40mm) 1" -

Подробнее

Артикул: TIP2955

Бренд: Central Semiconductor

Описание: TRANS GENERAL PURPOSE TO-218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-218

Подробнее

SISA10DN-T1-GE3 VISHAY

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята