г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISA10DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISA10DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8, N-Channel 30 V 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISA10DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
30A (Tc)
4.5V, 10V
3.7mOhm @ 10A, 10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
+20V, -16V
2425 pF @ 15 V
-
3,000
SISA10DNT1GE3,SISA10DN-T1-GE3TR,SISA10DN-T1-GE3CT,SISA10DN-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SISA10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.6W (Ta), 39W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1549-E-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/16, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: BC849BW,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NOW NEXPERIA BC849BW - SMALL SIG, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: SF5408-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64, Diode Avalanche 1000 V 3A Through Hole SOD-64
Подробнее
Артикул: 1998-1224-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND STANDOFFPLAIN ALUMINUM5/8, Round Standoff Threaded #12-24 Aluminum 6.500" (165.10mm) 6 1/2" -
Подробнее
Артикул: FW256-TL-E
Бренд: SANYO
Описание: N-CHANNEL SILICON MOSFET, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: MAT02FH
Бренд: Analog Devices
Описание: IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 20mA 200MHz 1.8W Through Hole TO-78-6
Подробнее