г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISA40DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISA40DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK, N-Channel 20 V 43.7A (Ta), 162A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
145 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISA40DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
43.7A (Ta), 162A (Tc)
2.5V, 10V
1.1mOhm @ 10A, 10V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
+12V, -8V
3415 pF @ 10 V
-
3,000
SISA40DN-T1-GE3CT,SISA40DN-T1-GE3DKR,SISA40DN-T1-GE3TR
8541.29.0095
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SISA40
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.7W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1024-250-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: PANEL SCREW RETAINERPLAIN BRASS1,
Подробнее
Артикул: IRLU024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: 2N4123
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 78A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 78 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: 1571-A-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: 1220-25-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее