г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISA88DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISA88DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK, N-Channel 30 V 16.2A (Ta), 40.5A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
95 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISA88DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
4.5V, 10V
6.7mOhm @ 10A, 10V
2.4V @ 250µA
25.5 nC @ 10 V
+20V, -16V
985 pF @ 15 V
-
3,000
SISA88DN-T1-GE3TR,SISA88DN-T1-GE3DKR,SISA88DN-T1-GE3CT,SISA88DN-T1-GE3-ND
8541.29.0095
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SISA88
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPA80R650CEXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F, N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Подробнее
Артикул: BZX85C10
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 10V 1.3W DO-41, Zener Diode 10 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: 1126-8-B-1
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCADMIUM (COMMERCIAL), Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: IPD95R2K0P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3, N-Channel 950 V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PC50 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: TSM3481CX6 RFG
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26, P-Channel 30 V 5.7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-26
Подробнее