г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISH108DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISH108DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH, N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Цена
127 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISH108DN-T1-GE3.jpg
3,000
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
14A (Ta)
4.5V, 10V
4.9mOhm @ 22A, 10V
2V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±16V
-
SISH108DN-T1-GE3TR,SISH108DN-T1-GE3CT,SISH108DN-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET® Gen II
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
SISH108
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
1.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF530PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, N-Channel 100 V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BZT52C3V0
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 3.0V 500MW SOD-123, Zener Diode 3 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: IRG4BC30WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3708
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 0245-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL3/4HD X, 1/4"-20 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: FP50R12KT4GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 50A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее