г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISH402DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISH402DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK, N-Channel 30 V 19A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Цена
176 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISH402DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
19A (Ta), 35A (Tc)
4.5V, 10V
6mOhm @ 19A, 10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
3,000
SISH402DN-T1-GE3CT,SISH402DN-T1-GE3TR,SISH402DN-T1-GE3DKR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
SISH402
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
3.8W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ET-7002
Бренд: ICP DAS
Описание: 3 CHANNEL VOLTAGE & CURRENT ANAL, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: IRG7PH50UPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 140A I(C), 1200V V(BR)CES,, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1N5816
Бренд: Microchip Technology
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode
Подробнее
Артикул: IXSH45N120
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 75A 300W TO247AD, IGBT - 1200 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 1364-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM5/16 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: 0269-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS9/16HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее