г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISS10DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISS10DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S, N-Channel 40 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISS10DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
40 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
2.65mOhm @ 15A, 10V
2.4V @ 250µA
75 nC @ 10 V
+20V, -16V
3750 pF @ 20 V
-
3,000
SISS10DN-T1-GE3DKR,SISS10DN-T1-GE3TR,SISS10DN-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SISS10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
57W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPI80N03S4L-04
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: RM17TG20
Бренд: WEC
Описание: RM17TG20,
Подробнее
Артикул: VS-40CTQ045-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N5680
Бренд: Solid State
Описание: BI-POLAR SILICON TRANSISTOR PN, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: PTVA120501EA-V1-R0
Бренд: Wolfspeed
Описание: IC AMP RF LDMOS H-36265-2, RF Mosfet LDMOS 50 V 50 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 50W H-36265-2
Подробнее
Артикул: 1275-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.938" (49.21mm) -
Подробнее