г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISS10DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISS10DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S, N-Channel 40 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISS10DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
40 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
2.65mOhm @ 15A, 10V
2.4V @ 250µA
75 nC @ 10 V
+20V, -16V
3750 pF @ 20 V
-
3,000
SISS10DN-T1-GE3DKR,SISS10DN-T1-GE3TR,SISS10DN-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SISS10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
57W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5401
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO-201AD, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: IRF831
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 450 V 4.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BZX85B62-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 62V 1.3W DO41, Zener Diode 62 V 1.3 W ±2% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: TO-101-130
Бренд: Bivar
Описание: SPACER RECT GEN PURP 0.130", Component Spacer General Purpose Rectangular 0.130" (3.30mm) Natural
Подробнее
Артикул: FCPF11N65
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F, N-Channel 650 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 237-ZD-50-50-A-SR
Бренд: J.W. Winco
Описание: ZINC DIE-CAST HINGE, 2X2 BORES, Leaf Hinge Zinc Die-Cast Silver
Подробнее