г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISS22LDN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISS22LDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK, N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Цена
217 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISS22LDN-T1-GE3.jpg
PowerPAK® 1212-8S
N-Channel
60 V
25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
4.5V, 10V
3.65mOhm @ 15A, 10V
2.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
PowerPAK® 1212-8S
-55°C ~ 150°C (TJ)
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
SISS22
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
742-SISS22LDN-T1-GE3CT,742-SISS22LDN-T1-GE3TR,742-SISS22LDN-T1-GE3DKR
3,000
Surface Mount
5W (Ta), 65.7W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJ15015
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI HIGH POWER AUDIO TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 15 A 6MHz 180 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: BYV27-200-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57, Diode Avalanche 200 V 2A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: IRF5803TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IPA80R310CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPA80R310 - 800V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее
Артикул: OS-B-500
Бренд: MENDA
Описание: DESOLDER BRAID NO-CLN 0.05" 500', Desolder Braid/Wick No Clean, Rosin, Mildly Activated (RMA) - Gold 0.050" (1.27mm) 500' (152.4m)
Подробнее
Артикул: SPP24N60CFD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее