г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISS26DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISS26DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S, N-Channel 60 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Цена
303 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISS26DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
60A (Tc)
6V, 10V
4.5mOhm @ 15A, 10V
3.6V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 30 V
-
3,000
SISS26DN-T1-GE3DKR,SISS26DN-T1-GE3TR,SISS26DN-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SISS26
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
57W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0592-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL5/16HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: IPA60R800CEXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP, N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFP9140NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC, P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: DTC114EMT2L
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Подробнее
Артикул: MMSZ5256B
Бренд: onsemi
Описание: ZENER DIODE, 30V, 5%, 0.5W, UNID, Zener Diode 30 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: C-2327
Бренд: WEC
Описание: POWER TRANSFORMERS 85 OHMS 1500V,
Подробнее