г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISS26DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISS26DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S, N-Channel 60 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Цена
303 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISS26DN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
60A (Tc)
6V, 10V
4.5mOhm @ 15A, 10V
3.6V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 30 V
-
3,000
SISS26DN-T1-GE3DKR,SISS26DN-T1-GE3TR,SISS26DN-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SISS26
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
57W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IGW40N65F5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3,
Подробнее
Артикул: FDS8962C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 2SD2153T100U
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN 25V 2A SOT-89, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 2 A 110MHz 2 W Surface Mount MPT3
Подробнее
Артикул: BD243A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 6A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BZT52H-B10
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: BZT52H-B10,
Подробнее
Артикул: 9003-62-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1 IN OD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.594" (15.08mm) -
Подробнее