г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISS42LDN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISS42LDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK, N-Channel 100 V 11.3A (Ta), 39A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Цена
234 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISS42LDN-T1-GE3.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
11.3A (Ta), 39A (Tc)
4.5V, 10V
14.9mOhm @ 15A, 10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2058 pF @ 50 V
-
3,000
SISS42LDN-T1-GE3DKR,SISS42LDN-T1-GE3TR,SISS42LDN-T1-GE3CT
8541.29.0095
TrenchFET® Gen IV
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SISS42
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
4.8W (Ta), 57W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4681
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: MAC97A6,116
Бренд: WeEn Semiconductors
Описание: TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92-3, TRIAC Logic - Sensitive Gate 400 V 600 mA Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FN-888
Бренд: GC Electronics
Описание: SCREWNYLON4-40X1 BINDERSLOT,
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PC50 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: FQA13N80
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN, N-Channel 800 V 12.6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 156-ACS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .188,L= 1.00,W= .028,
Подробнее