г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISS73DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISS73DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK, P-Channel 150 V 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Цена
272 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SISS73DN-T1-GE3.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
150 V
4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
10V
125mOhm @ 10A, 10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
719 pF @ 75 V
-
3,000
SISS73DN-T1-GE3DKR,SISS73DN-T1-GE3CT,SISS73DN-T1-GE3TR
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SISS73
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MRF904
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72, RF Transistor NPN 15V 30mA 4GHz 200mW Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: IKW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FEP16FT
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300 V 16A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: AUIRF3805S-7TRL
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: MMSZ5262BT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 51V 500MW SOD123, Zener Diode 51 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее