г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SKW25N120FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SKW25N120FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 46A 313W TO247-3, IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 711 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/SKW25N120FKSA1.jpg
NPT
1200 V
46 A
84 A
3.6V @ 15V, 25A
313 W
3.7mJ
Standard
225 nC
45ns/730ns
800V, 25A, 22Ohm, 15V
REACH Unaffected
PG-TO247-3-1
TO-247-3
-
Tube
Last Time Buy
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SKW25N120,SKW25N120-ND,SP000012571
240
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
90 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 12CTQ045
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 6A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IPB017N08N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: 2N5657
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN PWR 0.5A 350V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 10MHz 20 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: JANTX2N2221A
Бренд: Microsemi
Описание: TRANS NPN 50V 0.8A TO18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Подробнее
Артикул: GBU402
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: FJP13007TU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее