г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SLA5060 Sanken

Артикул
SLA5060
Бренд
Sanken
Описание
MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP, Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 6A 5W Through Hole 12-SIP
Цена
1 164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/SLA5060.jpg
12-SIP
5W
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
60V
6A
220mOhm @ 3A, 4V
-
-
320pF @ 10V
12-SIP Exposed Tab
SLA5060 DK
180
-
Bulk
Active
Through Hole
150°C (TJ)
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SKP04N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 9.4 A 50 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FJP13007TU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 8A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: DMG2302U-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BD179G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: STGW40V60DF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 80A 283W TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 283 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1315-2-B-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNICKEL 3/16 HEX X 1/8, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее