г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SLA6026 Sanken

Артикул
SLA6026
Бренд
Sanken
Описание
TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 10A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP
Цена
589 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
files/SLA6026.jpg
12-SIP Exposed Tab
12-SIP
5W
3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
10A
60V
1.5V @ 12mA, 6A
10µA (ICBO)
2000 @ 6A, 4V
SLA6026 DK
18
-
Tube
Obsolete
Through Hole
150°C (TJ)
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: I-7051D
Бренд: ICP DAS
Описание: RS-485 REMOTE I/O DAQ MODULE: 16, Input Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: IRL8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BZG03C10TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 10V 1.25W DO214AC, Zener Diode 10 V 1.25 W ±6% Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: IRF7509TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7433
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO, P-Channel 12 V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее